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Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者: MATIAS, VLADIMIR

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一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者: 王桂磊; 李俊峰; 刘金彪; 赵超

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Vertically emitting laser and method of making the same 专利
专利号: US20080198890A1, 申请日期: 2008-08-21, 公开日期: 2008-08-21
作者: UNGAR, JEFFREY E.; OSOWSKI, MARK L.

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Vertical structure semiconductor devices 专利
专利号: WO2005104780A2, 申请日期: 2005-11-10, 公开日期: 2005-11-10
作者: YOO, MYUNG CHEOL

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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者: KRYLIOUK, OLGA

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