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科研机构
西安光学精密机械研... [22]
内容类型
专利 [22]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
1995 [1]
1990 [3]
1989 [2]
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Substrate for device bonding and method for manufacturing same
专利
专利号: US7626264, 申请日期: 2009-12-01, 公开日期: 2009-12-01
作者:
YOKOYAMA, HIROKI
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Ohmic electrode structure and semiconductor element
专利
专利号: WO2008120432A1, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09
作者:
SHIMAMOTO, TOSHITAKA
;
YOSHIKAWA, KENJI
;
MAKITA, KOUJI
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
专利
专利号: EP1039596B1, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
作者:
KURAMACHI, TERUHIKO, C/O FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
半導体発光装置
专利
专利号: JP1995107945B2, 申请日期: 1995-11-15, 公开日期: 1995-11-15
作者:
塚田 俊久
;
福沢 董
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor device and manufacture thereof
专利
专利号: JP1990192120A, 申请日期: 1990-07-27, 公开日期: 1990-07-27
作者:
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/01/13
InP/GalnAsP double heterostructure laser diode with buried active layer, and method for its production
专利
专利号: EP0373637A2, 申请日期: 1990-06-20, 公开日期: 1990-06-20
作者:
RAKOVICS, VILMOS,
;
LENDVAY, ÖDÖN DR.,
;
LÁBADI, ZOLTÁN,
;
HABERMAYER, ISTVÁN DR.,
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/31
Heat sink
专利
专利号: JP1990022878A, 申请日期: 1990-01-25, 公开日期: 1990-01-25
作者:
NEGISHI HIDEHIKO
;
IMAMURA HIROKO
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
专利号: JP1989298786A, 申请日期: 1989-12-01, 公开日期: 1989-12-01
作者:
YAMAMOTO SABURO
;
KONDO MASAFUMI
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
Structure of semiconductor light emitting element and manufacture thereof
专利
专利号: JP1989066986A, 申请日期: 1989-03-13, 公开日期: 1989-03-13
作者:
HOSOI YOJI
;
TSUBOTA TAKASHI
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
-
专利
专利号: JP1988042875B2, 申请日期: 1988-08-25, 公开日期: 1988-08-25
作者:
KASAHARA KENICHI
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提交时间:2020/01/18
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