CORC

浏览/检索结果: 共12条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Vcsel with structured emission surface for fundamental transverse mode control 专利
专利号: WO2011030885A1, 申请日期: 2011-03-17, 公开日期: 2011-03-17
作者:  IKUTA, MITSUHIRO
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/31
Surface emitting semiconductor laser, and method and apparatus for fabricating the same 专利
专利号: US7157298, 申请日期: 2007-01-02, 公开日期: 2007-01-02
作者:  NAKAYAMA, HIDEO;  SAKAMOTO, AKIRA
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24
Multi-layered high density connections 专利
专利号: US6721187, 申请日期: 2004-04-13, 公开日期: 2004-04-13
作者:  HALL, RICHARD RONALD;  LIN, HOW TZU;  MAJKA, CHRISTOPHER JOHN;  SEASTRAND, NORMAN COREY;  SEWARD, MATTHEW FRANCIS
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24
Process for fabricating semiconductor laser emitting apparatus 专利
专利号: US20020022285A1, 申请日期: 2002-02-21, 公开日期: 2002-02-21
作者:  NARUI, HIRONOBU
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/30
Multiquantum-well semiconductor laser 专利
专利号: US5737353, 申请日期: 1998-04-07, 公开日期: 1998-04-07
作者:  SASAKI, YOSHIHIRO
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988051688A, 申请日期: 1988-03-04, 公开日期: 1988-03-04
作者:  YAGI KATSUMI
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor device with distributed bragg reflector 专利
专利号: JP1987189785A, 申请日期: 1987-08-19, 公开日期: 1987-08-19
作者:  AKIBA SHIGEYUKI;  USAMI MASASHI;  NODA YUKIO;  SUZUKI MASATOSHI
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of pbsnte laser 专利
专利号: JP1987030392A, 申请日期: 1987-02-09, 公开日期: 1987-02-09
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOJI;  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOJI
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1986075584A, 申请日期: 1986-04-17, 公开日期: 1986-04-17
作者:  YANASE TOMOO
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting element and manufacture thereof 专利
专利号: JP1985077473A, 申请日期: 1985-05-02, 公开日期: 1985-05-02
作者:  MUSHIGAMI MASAHITO;  TANAKA HARUO
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace