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| 一种以双极膜为隔膜的电化学还原CO2电解池及其应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201210408760.7, 申请日期: 2015-04-22, 公开日期: 2015-04-22
作者: 宋玉江; 李焕巧
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| Preparing stereospecific iodo olefins involves providing bromo-olefin as raw material and reacting with iodine source, substituting iodine on double bond, and adding bromo-olefin, iodide source, catalyst and ligand to reactor. 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-08-12
作者: BAO M FENG X LV W YU X
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| Ultra-short pulse silicon nitride laser ablation method involves establishing super ablation of laser, to initialize simulation parameters, using plasma density border condition of iodine oxide-cyanide-triiodothyronine material. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-08-28
作者: GUO D MA G WU D YAO L NIU F
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| Method for producing a semiconductor laser diode 专利
专利号: WO2004023535A1, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者: CHALY, VIKTOR PETROVICH; POGORELSKY, YURY VASILIEVICH; ALEXEEV, ALEXEI NIKOLAEVICH; KRASOVITSKY, DMITRY MIKHAILOVICH; SHKURKO, ALEXEI PETROVICH
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| 化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP2643322B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者: 右田 雅人; 大家 彰; 椎木 正敏
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| Inner current constriction type semiconductor laser element 专利
专利号: JP1992073986A, 申请日期: 1992-03-09, 公开日期: 1992-03-09
作者: MATSUBARA KUNIO
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| Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1990291183A, 申请日期: 1990-11-30, 公开日期: 1990-11-30
作者: KATSUI AKINORI; MATSUOKA TAKASHI
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| Semiconductor laser diode device 专利
专利号: JP1986174791A, 申请日期: 1986-08-06, 公开日期: 1986-08-06
作者: OOTA YUTAKA; SAITO YOSHITO; YOSHIMURA KAZUNORI
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| Heterojunction devices 专利
专利号: GB1499561A, 申请日期: 1978-02-01, 公开日期: 1978-02-01
作者: -
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| A method of producing an homogeneous monocrystal 专利
专利号: GB1087268A, 申请日期: 1967-10-18, 公开日期: 1967-10-18
作者: -
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