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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利 专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26 作者:  MATIAS, VLADIMIR 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/24 Bond and release layer transfer process 专利 专利号: US10164144, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2018-12-25 作者:  HENLEY, FRANCOIS J.;  KANG, SIEN;  ZHONG, MINGYU;  LI, MINGHANG 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2019/12/24 Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates 专利 专利号: US8259769, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04 作者:  RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24 作者:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Article comprising an oxide layer on a GaAs or GaN-based semiconductor body 专利 专利号: US6469357, 申请日期: 2002-10-22, 公开日期: 2002-10-22 作者:  HONG, MINGHWEI;  KORTAN, AHMET REFIK;  KWO, JUEINAI RAYNIEN;  MANNAERTS, JOSEPH PETRUS 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor device and semiconductor light emitting device 专利 专利号: US6462354, 申请日期: 2002-10-08, 公开日期: 2002-10-08 作者:  OKUYAMA, HIROYUKI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser element 专利 专利号: US20010028668A1, 申请日期: 2001-10-11, 公开日期: 2001-10-11 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  MATSUMOTO, KENJI;  WADA, MITSUGU 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Horizontal reactor for compound semiconductor growth 专利 专利号: US6214116, 申请日期: 2001-04-10, 公开日期: 2001-04-10 作者:  SHIN, HYUN KEEL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor 专利 专利号: EP0801156A2, 公开日期: 1997-10-15 作者:  OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD;  MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  MIURA, YOSHIKI, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.;  MOTOKI, KENSAKU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利 专利号: WO2005122267A3, 公开日期: 2005-12-22 作者:  HASKELL, BENJAMIN, A.;  MCLAURIN, MELVIN, B.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S.;  NAKAMURA, SHUJI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26