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一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 专利
专利号: US9418843, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2014-07-24
作者:  李冬梅;  陈鑫;  梁圣法;  牛洁斌;  张培文
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LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES 专利
专利号: US20100309943A1, 申请日期: 2010-12-09, 公开日期: 2010-12-09
作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  LIN, YOU-DA;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
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High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 专利
专利号: IN224512B, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-12-05
作者:  BOZSO, FERENC, M;  EMMA, PHILIP, G
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A semiconductor light-emitting device 专利
专利号: GB2425652A, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2006-11-01
作者:  STEWART, EDWARD, HOOPER;  VALERIE, BOUSQUET;  JONATHAN, HEFFERNAN
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High speed data channel including a CMOS vcsel driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 专利
专利号: SG111871A1, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
作者:  BOZSO, FERENC, M.;  EMMA, PHILIP, G.
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化合物半導体の構造形成方法 专利
专利号: JP2717163B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
作者:  河西 秀典;  秋田 健三;  杉本 喜正
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Optical storage device 专利
专利号: GB2306771A, 申请日期: 1997-05-07, 公开日期: 1997-05-07
作者:  DONALD, DOMINIC, ARNONE;  MICHAEL, PEPPER
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Optical storage device 专利
专利号: GB2306771A, 申请日期: 1997-05-07, 公开日期: 1997-05-07
作者:  DONALD, DOMINIC, ARNONE;  MICHAEL, PEPPER
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30
気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
作者:  黒田 尚孝;  菅生 繁男
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Method for forming structure of compound semiconductor 专利
专利号: JP1992096328A, 申请日期: 1992-03-27, 公开日期: 1992-03-27
作者:  YAMADA CHIKASHI;  AKITA KENZO;  SUGIMOTO YOSHIMASA;  KASAI SHUSUKE
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