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Removal of metallic impurities in boric acid used for optical or crystal material comprises dissolving industrial boric acid in solvent, reacting with organic auxiliary agent and complexing agent, crystallizing and drying. 专利
申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2009-11-11
作者:  GONG W LIN Y NING G PAN X WANG J YE
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Diode pumped laser with frequency conversion into UV and DUV range 专利
专利号: US6002697, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  GOVORKOV, SERGEI V.;  STAMM, UWE;  ZSCHOCKA, WOLFGANG V.;  SCHRODER, THOMAS
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2849423B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:  細井 洋治;  小林 正男;  的場 昭大;  坪田 孝志
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光半導体装置 专利
专利号: JP2804093B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-24
作者:  茂木 直人;  平原 奎治郎
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化合物半導体の構造形成方法 专利
专利号: JP2717163B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
作者:  河西 秀典;  秋田 健三;  杉本 喜正
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P型ZnTe単結晶の製造方法 专利
专利号: JP2708866B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
作者:  菱田 有二;  石井 宏明
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2653562B2, 申请日期: 1997-05-23, 公开日期: 1997-09-17
作者:  柿本 昇一;  門脇 朋子;  青柳 利隆;  高木 和久
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半導体レ-ザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1994034426B2, 申请日期: 1994-05-02, 公开日期: 1994-05-02
作者:  一色 邦彦
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Method of fabricating a semiconductor laser 专利
专利号: US5268328, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07
作者:  MORI, YOSHIHIRO;  MANNOH, MASAYA;  KAMIYAMA, SATOSHI;  OHNAKA, KIYOSHI
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- 专利
专利号: JP1993046116B2, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13
作者:  IDE JUICHI
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