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Semiconductor layer structure with superlattice 专利
专利号: US7893424, 申请日期: 2011-02-22, 公开日期: 2011-02-22
作者:  EICHLER, CHRISTOPH;  LELL, ALFRED;  MILER, ANDREAS;  SCHILLGALIES, MARC
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Nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same 专利
专利号: US7822088, 申请日期: 2010-10-26, 公开日期: 2010-10-26
作者:  TERANO, AKIHISA;  TSUCHIYA, TOMONOBU
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Method and apparatus for use of III-nitride wide bandgap semiconductors in optical communications 专利
专利号: US7345812, 申请日期: 2008-03-18, 公开日期: 2008-03-18
作者:  HUI, RONGQING;  JIANG, HONG-XING;  LIN, JING-YU
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Vertical cavity surface emitting laser with reduced parasitic capacitance 专利
专利号: WO2002037630A3, 申请日期: 2003-03-13, 公开日期: 2003-03-13
作者:  EBELING, KARL;  EBELING KARL JOACHIM
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Semiconductor light emitting element 专利
专利号: US6350997, 申请日期: 2002-02-26, 公开日期: 2002-02-26
作者:  SAEKI, RYO
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Method and apparatus for diffusing zinc into groups III-V compound semiconductors crystals 专利
专利号: EP0977247A2, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02
作者:  IGUCHI, YASUHIRO, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC;  SOWA, SOSUKE, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC
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Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers 专利
专利号: US6011810, 申请日期: 2000-01-04, 公开日期: 2000-01-04
作者:  HALLER, EUGENE E.;  BRUNDERMANN, ERIK
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2763102B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
作者:  櫛部 光弘
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Selectively Si-doped InAs/A1AsSb short-period-superlattices as N-type cladding layers for mid-IR laser structures grown on InAs substrates 专利
专利号: US5594750, 申请日期: 1997-01-14, 公开日期: 1997-01-14
作者:  ZHANG, YONG H.;  CHOW, DAVID H.
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Optical gain medium having doped nanocrystals of semiconductors and also optical scatterers 专利
专利号: US5434878, 申请日期: 1995-07-18, 公开日期: 1995-07-18
作者:  LAWANDY, NABIL R.
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