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一种含硅多孔非晶合金锂离子电池负极材料及其制备方法 专利
专利号: 201510148821.4, 申请日期: 2019-12-06,
作者:  朱正旺,吴金波,张海峰,付华萌,张宏伟,王爱民,李宏
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一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者:  刘恒;  王俊;  谭少阳;  荣宇峰;  曾冠澐
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一种柔性微电极的制造方法 专利
申请日期: 2019-07-05,
作者:  于海波;  关涛;  李盼;  刘娜;  刘连庆
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一种热辅助飞秒激光退火非晶硅的装置 专利
申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2018-11-16
作者:  詹学鹏;  陈杰智;  徐淮良
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集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件及其制备方法 专利
专利号: CN108616033A, 申请日期: 2018-10-02, 公开日期: 2018-10-02
作者:  喻颖;  孙雅琪;  刘顺发;  余思远
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一种功率器件的制备方法 专利
专利号: CN201310086257.9, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者:  吴振兴;  朱阳军;  田晓丽;  卢烁今
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定向自组装模板转移方法 专利
专利号: CN201610067780.0, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2016-05-11
作者:  闫江;  孟令款
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基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法 专利
专利号: CN107634033A, 申请日期: 2018-01-26, 公开日期: 2018-01-26
作者:  冯朋;  肖希;  王磊;  李淼峰;  杨奇
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多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件 专利
专利号: CN106653572A, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10
作者:  芦子玉;  邬苏东;  叶继春;  高平奇;  丁丽
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一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 专利
专利号: CN201210510352.2, 申请日期: 2017-03-01, 公开日期: 2014-06-11
作者:  闫江;  李春龙;  李俊峰;  赵超
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