|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法 专利
申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
作者: 陈杰智; 马晓雷
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法 专利
申请日期: 2017-11-21,
作者: 王宏兴; 赵丹; 邵国庆; 刘璋成; 朱天飞
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-01-16
作者: 蒲红斌; 王曦; 杜利祥; 封先锋; 臧源
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/20 |
| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云 ; 刘可安; 申华军; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110021062.7, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-07-18
作者: 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02
作者: 汤益丹; 白云; 李博; 刘新宇; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 专利
专利号: CN200910078557.6, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2010-08-25
作者: 赵妙; 王鑫华; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2016/10/12 |
| 制造Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法 专利
专利号: CN101311380B, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
作者: 上野昌纪; 斋藤雄
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 专利
专利号: CN200910077528.8, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2010-07-21
作者: 柳江; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者: 胡爱斌; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/03/18 |
