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Laser diodes, leds, and silicon integrated sensors on patterned substrates 专利
专利号: WO2019035107A1, 申请日期: 2019-02-21, 公开日期: 2019-02-21
作者:  PIAO, JIE
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Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films 专利
专利号: US8349633, 申请日期: 2013-01-08, 公开日期: 2013-01-08
作者:  ALLERMAN, ANDREW A.;  CRAWFORD, MARY H.;  LEE, STEPHEN R.
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: US7951639, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:  CHUA, SOON JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28
作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control 专利
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:  ITO, SHIGETOSHI;  YUASA, TAKAYUKI;  UETA, YOSHIHIRO;  TANEYA, MOTOTAKA;  TANI, ZENPEI
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Nitride semiconductor heterostructures and related methods 专利
专利号: US7638346, 申请日期: 2009-12-29, 公开日期: 2009-12-29
作者:  SCHOWALTER, LEO J.;  SMART, JOSEPH A.;  LIU, SHIWEN;  MORGAN, KENNETH E.;  BONDOKOV, ROBERT T.
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HYBRID INTEGRATION BASED ON WAFER-BONDING OF DEVICES TO AISb MONOLITHICALLY GROWN ON Si 专利
专利号: US20070275492A1, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29
作者:  HUFFAKER, DIANA L.;  DAWSON, LARRY R.;  BALAKRISHNAN, GANESH
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利号: EP0951076B1, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2006-09-20
作者:  WANG, SHIH YUAN;  CHEN, YONG;  CORZINE, SCOTT W.;  KERN, R. SCOTT;  COMAN, CARRIE CARTER
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Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:  YANG, TSUNG-HSI;  LEE, CHUNG-LIANG;  YANG, CHU-SHOU
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Group iii nitride semiconductor optical device 专利
专利号: WO2006030845A1, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23
作者:  FUKUDA, KAZUHISA;  SASAOKA, CHIAKI;  KIMURA, AKITAKA
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