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微电子研究所 [5]
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专利 [5]
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2013 [1]
2011 [3]
2010 [1]
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内容类型:专利
专题:微电子研究所
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改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
专利
专利号: CN201010235058.6, 申请日期: 2013-03-20, 公开日期: 2012-02-01
作者:
陈晓娟
;
汪宁
;
刘新宇
;
庞磊
;
罗卫军
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/10/12
一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法
专利
申请日期: 2011-09-23, 公开日期: 2012-11-20
作者:
石莎莉
;
夏洋
;
饶志鹏
;
万军
;
李超波
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/11/20
一种掺氮碳纳米管的制备方法
专利
申请日期: 2011-09-23, 公开日期: 2012-11-20
作者:
陈波
;
夏洋
;
饶志鹏
;
万军
;
刘键
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2012/11/20
一种碳纳米管的制备方法
专利
申请日期: 2011-09-23, 公开日期: 2012-11-20
作者:
石莎莉
;
刘键
;
饶志鹏
;
万军
;
夏洋
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2012/11/20
微尖端线列器件
专利
专利号: CN200510011987.8, 申请日期: 2010-11-24, 公开日期: 2006-12-27
作者:
叶甜春
;
陈大鹏
;
焦斌斌
;
欧毅
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2010/11/26
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