一种掺氮碳纳米管的制备方法 | |
陈波; 夏洋; 饶志鹏; 万军; 刘键; 李超波; 黄成强; 石莎莉; 李勇滔 | |
2011-09-23 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体涉及一种掺氮碳纳米管的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;在所述硅衬底表面生长一层镍金属;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质,通过等离子体放电,形成碳原子,所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构;向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质,通过等离子体电离所述含氮物质,使得含氮物质的氮原子掺入碳纳米管结构内部和表面,形成掺氮碳纳米管。本发明不仅能够通过ALD设备制备出碳纳米管,而且通过等离子体辅助,能够实现氮原子的掺杂,且薄膜结构完整,含氮量较容易控制,方法简单,可广泛采用。 |
公开日期 | 2012-11-20 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10117] |
专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈波,夏洋,饶志鹏,等. 一种掺氮碳纳米管的制备方法. 2011-09-23. |
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