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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Air Stable Organic-Inorganic Perovskite Nanocrystals@Polymer Nanofibers and Waveguide Lasing 期刊论文 SMALL, 2020, 卷号: 16, 期号: 43 作者:  Wang, Zhe;  He, Haiyong;  Liu, Sheng;  Wang, Hong;  Zeng, Qingsheng 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/12/16 SURFACE-MORPHOLOGY  NANORODS  LENGTHS   The Degradation Kinetics Study of Aromatic Organics with Different Functional Compounds on Anatase 001 Surface 期刊论文 NANO, 2020, 卷号: 15, 期号: 7 作者:  Ni, Zitao;  Fan, Wenzhong;  Sun, Tao;  Wang, Rongfei;  Yang, Jie 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/12/16 TIO2 SINGLE-CRYSTALS  PHOTOCATALYTIC DEGRADATION  ACID ADSORPTION  RUTILE TIO2  FACETS  FILM  EFFICIENCY  OXIDATION  ARRAYS   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge