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科研机构
上海微系统与信息技... [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2009 [1]
2008 [3]
2005 [2]
2004 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
Physics, ... [10]
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学科主题：Physics, Multidisciplinary
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Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Su, YB
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
收藏
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浏览/下载：21/0
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提交时间：2012/03/24
HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE
DHBT TECHNOLOGY
F(MAX)
High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2683-2685
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
收藏
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2012/03/24
Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4492-4496
Wang, J
;
Wang, L
;
Dong, YM
;
Zou, X
;
Shao, L
;
Li, WJ
;
Steve, Y
收藏
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浏览/下载：97/0
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提交时间：2012/03/24
DEGRADATION
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
收藏
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2012/03/24
AMPLIFIER
BASE
Terahertz-induced electron-hole pair generation in semiconductor heterojunctions
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S109-S111
Cao, JC
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2011/12/17
IMPACT IONIZATION
TRANSPORT
FIELD
Terahertz-induced electron-hole pair generation in semiconductor heterojunctions
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S109-S111
Cao, JC
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2011/12/02
IMPACT IONIZATION
TRANSPORT
FIELD
Resonant optical absorption in semiconductor quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2504-2506
Yu, LY
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2011/12/17
ELECTRON-PHONON INTERACTION
BALANCE-EQUATION APPROACH
FREE-CARRIER ABSORPTION
IMPACT IONIZATION
HETEROSTRUCTURES
COEFFICIENT
SCATTERING
GAAS
Resonant optical absorption in semiconductor quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2504-2506
Yu, LY
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2011/12/02
ELECTRON-PHONON INTERACTION
BALANCE-EQUATION APPROACH
FREE-CARRIER ABSORPTION
IMPACT IONIZATION
HETEROSTRUCTURES
COEFFICIENT
SCATTERING
GAAS
The structural and electric behavior of SrBi2Ta2O9 ferroelectric thin films with H+ implantation
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 1999, 卷号: 251, 期号: 5, 页码: 336-339
Zeng, JM
;
Zheng, LR
;
Lin, CL
;
Alexe, M
;
Pignolet, A
;
Hesse, D
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2012/03/25
CAPACITORS
PB(ZR
TI)O-3
DEGRADATION
INTEGRATION
DAMAGE
Nanocavities: an effective gettering method for silicon-on-insulator wafers
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 516-518
Zhang, M
;
Zeng, JM
;
Huang, JP
;
Lin, ZX
;
Zhou, ZY
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载：30/0
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提交时间：2012/03/25
CAVITIES
COPPER
IMPLANTATION
BREAKDOWN
OXIDES
NICKEL
CARBON
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