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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105 Wu, LC; Song, ZT; Liu, B; Rao, F; Xu, C; Zhang, T; Yin, WJ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN OXIDE-FILMS  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NEGATIVE RESISTANCE  NIO FILMS   Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 1947-1950 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  CRYSTALLIZATION BEHAVIOR  THIN-FILMS  MEMORY  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  MEDIA  SB   Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  AMORPHOUS THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  TELLURIDE GLASSES  MEMORY  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743 Zhang, T; Liu, B; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  TELLURIDE GLASSES  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX