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科研机构
上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2002 [1]
学科主题
Physics, A... [3]
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学科主题:Physics, Applied
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Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, Z
;
Xu, C
;
Rao, F
;
Liang, S
;
Feng, S
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISK
PHASE-CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5 FILM
HIGH-DENSITY
DEVICE
Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 73505-73505
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhong, M
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
THIN-FILMS
CRYSTALLIZATION
CONDUCTION
SEPARATION
Synthesis of large-area germanium cone-arrays for application in electron field emission
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3281-3283
Wan, Q
;
Wang, TH
;
Feng, T
;
Liu, XH
;
Lin, CL
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提交时间:2012/03/24
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