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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 p型单晶硅涂源掺锰新方法 期刊论文 电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 21-23 作者:  崔志明;  巴维真;  陈朝阳;  蔡志军;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 电子技术  扩散源  补偿度  固相反应  锰硅化物