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半导体研究所 [13]
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学科主题:微电子学
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常关型GaN HEMT器件制备研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2016/06/06
AlGaN/GaN
高电子迁移率晶体管
常关型
选区二次外延
The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination
期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103
Yanan Liang
;
Lifang Jia
;
Zhi He
;
Zhongchao Fan
;
Yun Zhang
;
Fuhua Yang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/16
具有背势垒的GaN基HEMT研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
彭恩超
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2014/06/05
氮化镓
异质结
高电子迁移率晶体管
二维电子气
背势垒
增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 771-777
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
熊莹
;
张仁平
;
杨富华
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/07/17
RTD、HEMT 在频率合成和分频中的应用
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
杜 睿
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浏览/下载:185/36
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提交时间:2010/06/08
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/09
SOI
MOSFET
基于共振隧穿二极管的集成电路研究
期刊论文
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 627-634
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
余洪敏
;
黄应龙
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23
A direct digital frequency synthesizer with fourth-order phase domain Delta Sigma noise shaper and 12-bit current-steering DAC
期刊论文
ieee journal of solid-state circuits, 2006, 卷号: 41, 期号: 4, 页码: 839-850
Dai FF
;
Ni WN
;
Yin S
;
Jaeger RC
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
CMOS integrated circuits
data conversion
delta-sigma modulation
digital-to-analog conversion
direct digital synthesizer
frequency synthesizers
integrated circuit design
sigma-delta modulation
D/A-CONVERTER
X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870
作者:
Wang Cuimei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
基于HEMT的单片微波集成放大器设计
期刊论文
北京航空航天大学学报, 2000, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 290
杨学斌
;
吕善伟
;
苏东林
;
王良臣
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
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