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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [20]
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2006 [1]
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学科主题
半导体物理 [20]
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学科主题:半导体物理
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85
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First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
Origins of magnetism in transition metal doped Cul
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713
Wang J (Wang Jing)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/10/11
AUGMENTED-WAVE METHOD
OPTICAL-PROPERTIES
CUPROUS HALIDES
COPPER HALIDES
BAND-STRUCTURE
CUBR
PHOTOEMISSION
PRESSURE
DENSITY
STATES
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:105/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
surface
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102
Zhou ZW
;
Li C
;
Chen SY
;
Lai HK
;
Yu JZ
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/08
THERMAL-EXPANSION
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Photoluminescence of low-dimensional semiconductor structures under pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 174-178
Li GH
;
Chen Y
;
Fang ZL
;
Ma BS
;
Su FH
;
Ding K
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浏览/下载:50/13
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提交时间:2010/03/17
pressure
Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:179/3
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提交时间:2010/08/12
BARRIER FORMATION
DIODES
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