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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2002 [1]
2001 [2]
2000 [3]
1999 [1]
1998 [2]
1997 [2]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题：半导体物理
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Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
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浏览/下载：65/0
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提交时间：2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载：87/9
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提交时间：2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
DIFFERENCE SPECTROSCOPY
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
INTERFACE
Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115317
作者:
Ye XL
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浏览/下载：105/2
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提交时间：2010/08/12
GIANT OPTICAL ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
COMMON-ATOM
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 2271-2273
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
收藏
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浏览/下载：54/0
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提交时间：2010/08/12
REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY
ZNSE/GAAS INTERFACE
STATES
GAAS
Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1695-1697
Chen YH
;
Wang ZG
;
Qian JJ
;
Yang Z
收藏
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浏览/下载：45/0
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提交时间：2010/08/12
GROWTH
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
27th annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (pcsi-27), salt lake city, utah, jan 16-20, 2000
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2010/11/15
REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY
ZNSE/GAAS INTERFACE
STATES
GAAS
Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 1783-1786
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Bo X
;
Liang JB
收藏
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浏览/下载：42/0
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提交时间：2010/08/12
OPTICAL ANISOTROPY
HETEROSTRUCTURES
ASYMMETRY
Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 15, 页码: 1866-1868
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Li RG
收藏
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浏览/下载：42/0
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提交时间：2010/08/12
BEAM-EPITAXIAL GAAS
HOPPING CONDUCTION
200-DEGREES-C
SPECTROSCOPY
DEFECTS
Interference effects in differential reflectance spectra of the GaAs epilayers grown on Si substrate
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 6466-6468
作者:
Jiang DS
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浏览/下载：43/0
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提交时间：2010/08/12
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature-grown GaAs
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: r7379-r7382
Chen YH
;
Yang Z
;
Li RG
;
Wang YQ
;
Wang ZG
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2010/11/17
BEAM EPITAXIAL GAAS
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