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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Spin states and persistent currents in a quantum ring with an embedded magnetic impurity
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: art. no. 025222
Sheng JS
;
Chang K
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
D EXCHANGE INTERACTION
Spin states in semiconductor quantum dot with a single magnetic ion
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 3097-3106
Li XJ
;
Yang W
;
Chang K
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/08
quantum dot
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
FLOATING-ZONE GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
SILICON
GE
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS
;
Sawaki N
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
LAYER
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