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半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2007 [3]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [3]
1998 [2]
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学科主题
半导体物理 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Magnetization of two-dimensional heavy holes with boundaries in a perpendicular magnetic field
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4430-4436
Fang C (Fang Cheng)
;
Wang ZG (Wang Zhi-Gang)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Zhang P (Zhang Ping)
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浏览/下载:150/44
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提交时间:2010/03/08
magnetization
Binding energy of a hydrogenic donor impurity in a rectangular parallelepiped-shaped quantum dot: Quantum confinement and Stark effects
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 9, 页码: art.no.093716
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
OFF-CENTER DONOR
Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/29
quantum wells
Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: art.no.061125
Wang, F (Wang, Fei)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
;
Jiang, HX (Jiang, H. X.)
;
Lin, JY (Lin, J. Y.)
;
Li, J (Li, Jingbo)
;
Wei, SH (Wei, Su-Huai)
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/29
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 57-63
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
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浏览/下载:99/11
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提交时间:2010/08/12
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157
Wang LS
;
Fong WK
;
Surya C
;
Cheah KW
;
Zheng WH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:73/5
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提交时间:2010/08/12
p-type GaN
metalorganic chemical vapor deposition
photoluminescence
X-ray diffraction
rapid-thermal annealing
P-TYPE GAN
RECOMBINATION
EMISSION
ENERGY
BANDS
Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
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浏览/下载:103/17
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提交时间:2010/08/12
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
A-SI-H
ABSORPTION
FILMS
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
STABILITY
DILUTION
Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
COHERENT ISLANDS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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