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| Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.)
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| Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者: Li JB
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| Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者: Wang Y; Pan JQ
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| Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者: Zhang XW
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| Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL
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| Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD 期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Yang H; Liang JW
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| Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者: Han PD
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| Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282
Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH; Ge W
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2010/08/12
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| Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of Ge islands on GexSi1-x strained layers 期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 391-393
Huang CJ; Li DZ; Yu Z; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM
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