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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2003 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
  |  
浏览/下载:93/14
  |  
提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:395/1
  |  
提交时间:2010/08/12
band structure
differential gain
GaInNAs
optical gain
strain compensated
strain mediated
STRAIN
TEMPERATURE
DIODES
ALLOYS
OFFSET
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/10/29
molecular beam epitaxy
InGaAs islands
photolumineseence
line-width
1.3 MU-M
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
LUMINESCENCE
STRAIN
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