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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [16]
会议论文 [1]
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2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
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浏览/下载:85/1
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提交时间:2010/03/08
gallium nitride crack
low temperature aluminum nitride
interlayer
silicon
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:95/12
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
microtwins
X-ray four-circle diffractometer
APCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE
PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GAN
SI
SUBSTRATE
DEFECTS
NITRIDE
MBE
The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535
Liu FZ
;
Zhu MF
;
Liu T
;
Li BC
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浏览/下载:165/50
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提交时间:2010/08/12
SiO2(Eu) films
XANES
SPECTROSCOPY
SILICON
VALENCE
GLASS
ER3+
The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422
Wang YQ
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Yang FH
;
Diao HW
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浏览/下载:82/6
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提交时间:2010/08/12
a-Si : O : H
nc-Si
microstructure
annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS SIO2
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON
Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190
Liao MY
;
Zhang JH
;
Qin FG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous carbon
ion bombardment
mass-selected low energy ion beam
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
DIAMOND FILMS
RAMAN-SCATTERING
GROWTH
SILICON
MECHANISM
Effect of defects on optical phonon Raman spectra in SiC nanorods
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 111, 期号: 11, 页码: 647-651
Zhang SL
;
Zhu BF
;
Huang FM
;
Yan Y
;
Shang EY
;
Fan SS
;
Han WG
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
phonons
inelastic light scattering
SCATTERING
SILICON
FABRICATION
FILMS
MODES
QUANTUM-WELL WIRES
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
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