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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [15]
会议论文 [1]
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2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [3]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [16]
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学科主题:半导体物理
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Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153
作者:
Chen L
;
Zhang XH
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/04
Fe thin film
Anisotropic strain relaxation
Magnetic anisotropy
X-ray diffraction
UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS(001)
DEVICES
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Wang, YT
;
Yang, H
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
EPITAXIAL GAN
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
FILMS
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique
期刊论文
science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:198/6
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提交时间:2010/08/12
GaN
x-ray diffraction
thickness
SAPPHIRE
GROWTH
FILMS
Content analyses in GaMnAs by double-crystal X-ray diffraction
期刊论文
chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 274-275
Chen NF
;
Xiu HX
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Zhong XR
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:96/12
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提交时间:2010/08/12
GaMnAs
diluted magnetic semiconductor
X-ray diffraction
lattice parameter
content of Mn
SEMICONDUCTOR
Pressure-induced phase transition of nanocrystalline zinc sulfide
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2002, 卷号: 25, 期号: 0, 页码: 58-61
Pan YW
;
Qu SC
;
Cui QL
;
Zhang WW
;
Liu XZ
;
Liu J
;
Liu BB
;
Gao CX
;
Zou GT
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/08/12
ZnS : Eu
synchrotron radiation
high pressure
X-ray diffraction
ZNS
Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132
Wu MF
;
Chen CC
;
Zhu DZ
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Langouche G
;
Zhang BS
;
Yang H
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
ELASTIC STRAIN
INGAN
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