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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2002 [2]
1998 [3]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
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Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 24, 页码: article no.245423
作者:
Tan PH
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浏览/下载:79/9
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提交时间:2011/07/05
RAMAN-SPECTROSCOPY
BILAYER GRAPHENE
GRAPHITE
SCATTERING
SPECTRA
CARBON
FILMS
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE ZNO
II-VI
BAND-GAP
SEMICONDUCTORS
FILMS
MGXZN1-XO
EPITAXY
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEPOSITION
LAYERS
FILMS
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Structure and magnetic properties of nitrides R3Fe29-xCrxN4
期刊论文
acta physica sinica-overseas edition, 1998, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 38-46
Han XF
;
Zan YD
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yang FM
;
Ma L
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
X=H
SM
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
GAAS
HYDROGEN
FILMS
TEMPERATURE EFFECT ON POROUS SILICON LUMINESCENCE
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1994, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 227-231
XIA JB
;
CHEAH KW
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
FILMS
SI
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