×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [2]
2008 [3]
2003 [1]
2002 [1]
1998 [1]
1995 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条，第1-9条
帮助
限定条件
学科主题：半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411
作者:
Li JB
收藏
|
浏览/下载：72/34
|
提交时间：2010/03/08
ab initio calculations
ferromagnetic materials
magnetic moments
magnetic semiconductors
titanium compounds
vacancies (crystal)
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
|
浏览/下载：64/1
|
提交时间：2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
|
浏览/下载：217/56
|
提交时间：2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4279-4284
Fang, ZJ
;
Shi, LJ
;
Liu, YH
收藏
|
浏览/下载：38/0
|
提交时间：2010/03/08
CuMO2
native defects
vienna ab-initio simulation package (VASP)
First-principles study of defects in CuGaO2
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 2997-3000
Fang, ZJ
;
Fang, C
;
Shi, LJ
;
Liu, YH
;
He, MC
收藏
|
浏览/下载：48/0
|
提交时间：2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRICAL-CONDUCTION
DELAFOSSITE STRUCTURE
THIN-FILMS
TRANSPARENT
CUALO2
CUINO2
OXIDE
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
|
浏览/下载：29/0
|
提交时间：2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
LOW FE CONTENT
POSITRON-LIFETIME
PHASE EPITAXY
PRESSURE
VACANCY
INDIUM
ANNIHILATION
PHOSPHIDE
WAFERS
Positron-annihilation study of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001
Shan YY
;
Deng AH
;
Ling CC
;
Fung S
;
Ling CD
;
Zhao YW
;
Sun TN
;
Sun NF
收藏
|
浏览/下载：99/9
|
提交时间：2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
LIFETIME
VACANCY
MECHANISMS
ACCEPTOR
GROWTH
GAAS
Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277
Fung S
;
Zhao YW
;
Beling CD
;
Xu XL
;
Gong M
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Chen XD
;
Zhang RG
;
Liu SL
;
Yang GY
;
Qian JJ
;
Sun MF
;
Liu XL
收藏
|
浏览/下载：39/0
|
提交时间：2010/08/12
SEMICONDUCTORS
HYDROGEN
DEFECTS
MECHANISM
ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1995, 卷号: 189, 期号: 2, 页码: 473-477
MARKLUND S
;
WANG YL
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2010/11/17
STACKING-FAULTS
BEHAVIOR
DEFECTS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
