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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [12]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2004 [2]
2001 [1]
2000 [4]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites
期刊论文
chinese science bulletin, 2010, 卷号: 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988
作者:
Tan PH
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浏览/下载:101/2
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提交时间:2011/07/05
Raman spectroscopy
carbon nanotube
composites
CNT macroarchitecture
RADIAL BREATHING MODE
DIAMETER DISTRIBUTION
WALL
SCATTERING
FIBERS
SENSORS
STRESS
FUNCTIONALIZATION
NANOCOMPOSITES
OXIDATION
Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
Band structure
k.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
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浏览/下载:284/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
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浏览/下载:98/6
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提交时间:2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436
作者:
Xu B
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
INAS ISLANDS
GROWTH
GAAS
RELAXATION
EVOLUTION
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
SIZE
Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1695-1697
Chen YH
;
Wang ZG
;
Qian JJ
;
Yang Z
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
Study of self-assembled InAs quantum dot structure covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) capping layer
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234
Wang XD
;
Liu HY
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
cap layer
strain-reducing
redshift
MU-M
EMISSION
INGAAS
Elastic deformation of wafer surfaces in bonding
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: 4401-4403
作者:
Han WH
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
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