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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：93/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  photoluminescence  infrared absorption  INFRARED PHOTODETECTORS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  DETECTOR   Influence of indium composition on the surface morphology of self-organized InxGa1-xAs quantum dots on GaAs substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 188-191 Li HX; Zhuang QD; Wang ZG; Daniels-Race T 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  STRAINED ISLANDS  DEPOSITION  EVOLUTION  MATRIX   Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 17, 页码: 2123-2125 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  RECOMBINATION  GAAS(100)  SURFACE   Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708 Zhuang QD; Li JM; Li HX; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  INFRARED-ABSORPTION  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  WELL  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  LASERS  INP