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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surface alloy formation of noble adatoms adsorbed on Si(111)-root 3 x root 3-Pb surface: a first-principles study 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 26, 页码: art. no. 265001 作者:  Li C;  Wang F 收藏  |  浏览/下载：89/7  |  提交时间：2011/07/07 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  LEAD MONOLAYERS   Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：262/9  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  ISLANDS  NM   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Electrical transport through individual DNA molecules 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 14, 页码: 2190-2192 Li XQ; Yan Y 收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  CONDUCTION  WIRES   Morphology and photoluminescence of GeSi self-assembled quantum dot on Si(113) 期刊论文 acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1745-1750 Si JJ; Yang QQ; Teng D; Wang HJ; Yu JZ; Wang QM; Guo LW; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ROOM-TEMPERATURE  GAAS-SURFACES  HIGH-INDEX  GROWTH  INGAAS  SUPERLATTICES  SI(100)  EPITAXY