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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [1]
1998 [1]
1996 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
Ho WY
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
current stressing
DLTS
flicker noise
heterojunctions
III-V nitride
LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS
RESONANT-TUNNELING DIODES
FLICKER NOISE
GALLIUM NITRIDE
1/F NOISE
DEVICES
TRANSISTORS
QUALITY
Thermal activation and thermal transfer of localized excitons in InAs self-organized quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 1998, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 381-387
Xu ZY
;
Lu ZD
;
Yuan ZL
;
Yang XP
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Wang Y
;
Wang J
;
Chang LL
收藏
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浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
quantum dots
INGAAS/GAAS
RELAXATION
GROWTH
WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates
期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531
Xu ZY
;
Lu ZD
;
Yang XP
;
Yuan ZL
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Wang Y
;
Wang J
;
Chang LL
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/17
QUANTUM-WELLS
DOTS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACES
MATRIX
IMPLANTATION ENERGY SELECTION IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES
期刊论文
chinese physics letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 149-152
XIAO GM
;
YIN SD
;
ZHANG JP
;
DING AJ
;
DONG AH
;
ZHU PR
;
ZHOU JM
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提交时间:2010/11/15
QUALITY
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