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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [19]
会议论文 [1]
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2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
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2007 [1]
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学科主题
半导体物理 [20]
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共20条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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85
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Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: 155433
Horzum, S
;
Cakir, D
;
Suh, J
;
Tongay, S
;
Huang, YS
;
Ho, CH
;
Wu, J
;
Sahin, H
;
Peeters, FM
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/04/02
First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
收藏
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
Optical properties of UO2 and PuO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Chu MF (Chu Mingfu)
;
Zhang P (Zhang Ping)
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/06/18
ELECTRONIC-STRUCTURE
URANIUM-DIOXIDE
POINT-DEFECTS
PHOTOEMISSION
ENERGY
APPROXIMATION
ENERGETICS
PLUTONIUM
CRYSTAL
SPECTRA
The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:131/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
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浏览/下载:217/56
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102
Zhou ZW
;
Li C
;
Chen SY
;
Lai HK
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/08
THERMAL-EXPANSION
Atomic configurations of dislocation core and twin boundaries in 3C-SiC studied by high-resolution electron microscopy
期刊论文
physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 18, 页码: art.no.184103
Tang CY
;
Li FH
;
Wang R
;
Zou J
;
Zheng XH
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/29
IMAGE DECONVOLUTION
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
收藏
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浏览/下载:220/68
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提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Content analyses in GaMnAs by double-crystal X-ray diffraction
期刊论文
chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 274-275
Chen NF
;
Xiu HX
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Zhong XR
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:96/12
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提交时间:2010/08/12
GaMnAs
diluted magnetic semiconductor
X-ray diffraction
lattice parameter
content of Mn
SEMICONDUCTOR
Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879
Zhao YW
;
Dong HW
;
Chen YH
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Fung S
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浏览/下载:88/2
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提交时间:2010/08/12
SEMIINSULATING INP
ZN DIFFUSION
COMPLEXES
PHOSPHIDE
MECHANISM
CRYSTALS
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