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半导体研究所 [66]
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半导体物理 [66]
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学科主题:半导体物理
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Effective Zeeman splitting in bent lateral heterojunctions of graphene and hexagonal boron nitride: A new mechanism towards half-metallicity
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: 201403
作者:
Ling Yue
;
Gotthard Seifert
;
Kai Chang
;
Dong-Bo Zhang
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2018/06/01
Interface engineering of electronic properties of graphene/boron nitride lateral heterostructures
期刊论文
2d materials, 2015, 卷号: 2, 期号: 4, 页码: 041001
Dong Zhang
;
Dong-Bo Zhang
;
Fuhua Yang
;
Hai-Qing Lin
;
Hongqi Xu
;
Kai Chang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/04/08
Effective n-type doping strategy through codoping Si-Al-F-N in aluminum nitride
期刊论文
applied physics express, 2014, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 111004
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Fu, Yong Qing
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/20
Boron nitride nanopores: Highly sensitive DNA single-molecule detectors
期刊论文
advanced materials, 2013, 卷号: 25, 期号: 33, 页码: 4549-4554
Liu, Song
;
Lu, Bo
;
Zhao, Qing
;
Yu, Dapeng
;
Li, Ji
;
Gao, Teng
;
Chen, Yubin
;
Zhang, Yanfeng
;
Liu, Zhongfan
;
Fan, Zhongchao
;
Yang, Fuhua
;
You, Liping
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2014/04/30
Minimum thermal conductance in graphene and boron nitride superlattice
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: 43109
Jiang JW
;
Wang JS
;
Wang BS
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
CONDUCTIVITY
TRANSPORT
Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:105/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
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