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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：284/63  |  提交时间：2010/03/09 molecular beam epitaxy   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN   Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172 Xie MH; Cheung SH; Zheng LX; Tong SY; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：140/42  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY