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半导体研究所 [63]
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学科主题
半导体物理 [63]
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学科主题:半导体物理
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES
RELAXATION ANISOTROPY
SYSTEMS
SPINTRONICS
DYNAMICS
Highly Reproducible Nanolithography by Dynamic Plough of an Atomic-Force Microscope Tip and Thermal-Annealing Treatment
期刊论文
ieee transactions on nanotechnology, 2011, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 53-58
Lu XF
;
Balocco C
;
Yang FH
;
Song AM
收藏
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浏览/下载:71/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Atomic-force microscope (AFM)
nanolithography
self-switching diodes (SSDs)
2-D electron gas
CONDUCTING POLYMER-FILMS
NANOMETER-SCALE
LITHOGRAPHY
FABRICATION
SURFACES
DEVICES
NANOSTRUCTURES
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
收藏
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 1088-1091
作者:
牛智川
;
徐应强
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/11/23
(Ga,Mn)As光调制反射光谱
期刊论文
发光学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 557-560
王志路
;
孙宝权
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205
Tan PH (Tan P. H.)
;
Luo XD (Luo X. D.)
;
Xu ZY (Xu Z. Y.)
;
Zhang Y (Zhang Y.)
;
Mascarenhas A (Mascarenhas A.)
;
Xin HP (Xin H. P.)
;
Tu CW (Tu C. W.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/04/11
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