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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2011 [2]
2006 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1997 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111
作者:
Zhu H
;
Wang LG
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/07/05
spin polarized transport
optical orientation
dense spin relaxation
quantum well
TRANSPORT
Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability
期刊论文
journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:
Liu J
;
Tan PH
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浏览/下载:90/4
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提交时间:2011/07/05
FERRIC-CHLORIDE
CHARGE-TRANSFER
SINGLE-LAYER
GRAPHENE
SPECTROSCOPY
SCATTERING
SPECTRA
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216
Shang YC
;
Liu ZL
;
Wang SR
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky contacts
reverse characteristics
tunneling current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
INHOMOGENEITIES
DIODES
Heterostructure intervalley transferred electron effects
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 263-265
Xue FS
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
TRANSITION
GAAS
Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 205-211
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
TRANSITION
GAAS
Shubnikov de Haas oscillations of a two-dimensional electron gas in a modulation-doped Zn0.80Cd0.20Se/ZnS0.06Se0.94 single quantum well
期刊论文
solid state communications, 1996, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 739-742
Shao H
;
Scholl S
;
Schafer H
;
Gerschutz J
;
Jobst B
;
Hommel D
;
Landwehr G
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
electronic transport
BLUE-GREEN LASER
OPTICAL-PROPERTIES
DIODES
TEMPERATURE
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