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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Er  Pr-implautation  deep level transient spectroscopy  N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330 Lu LW; Yang CL; Wang J; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TRANSIENT SPECTROSCOPY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  WELL  EPILAYERS  SURFACE   Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495 Zhang GQ; Sun P; Zou Q; Mei X; Ruda HE; Gu Q; Yu XF; Ren DY; Yan RL 收藏  |  浏览/下载：1273/12  |  提交时间：2010/08/12 ionizing radiation  dose rate  PZT  dielectric constant  coercive field  C-V curves  remanent polarization  FERROELECTRIC PZT CAPACITORS  IONIZING-RADIATION  BORDER TRAPS  TRANSISTORS  DEGRADATION  MECHANISMS  MEMORIES  VOLTAGE  DEVICES  RAY   Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314 Lu LW; Wang ZG; Yang CL; Wang J; Ma ZH; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：93/10  |  提交时间：2010/08/12 II-VI semiconductor  self-organized quantum dots  optical and electrical properties  TEMPERATURE-DEPENDENCE  WELL STRUCTURES  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  EPILAYERS  SURFACE  STATES   Electrical manifestation of the quantum-confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.113305 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：84/1  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT-TUNNELING DIODES  SPACER LAYERS  SPECTROSCOPY  DOTS  HETEROSTRUCTURES   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY