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半导体研究所 [126]
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半导体物理 [126]
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学科主题:半导体物理
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Effects of strain on the band gap and effective mass in two-dimensional monolayer GaX (X = S, Se, Te)
期刊论文
rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 5788-5794
Le Huang
;
Zhanghui Chen
;
Jingbo Li
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/03/29
Superfluidity and effective mass of magnetoexcitons in topological insulator bilayers: Effect of inter-Landau-level Coulomb interaction
期刊论文
epl, 2012, 卷号: 98, 期号: 4, 页码: 47002
Wang, ZG
;
Fu, ZG
;
Zhang, P
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/17
Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 100301
Wang, LG
;
Shen, C
;
Zheng, HZ
;
Zhu, H
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
charged acceptor centre
screening effect
exchange interaction
SHALLOW ACCEPTOR STATES
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:
Wang LG
;
Chen L
;
Zhu H
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浏览/下载:43/5
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提交时间:2011/07/05
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 4841-4845
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Li JB (Li Jingbo)
收藏
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浏览/下载:79/17
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提交时间:2010/04/13
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS
MOLECULAR-DYNAMICS
INDIUM-PHOSPHIDE
EXCITON-STATES
SMALL PBSE
NANOCRYSTALS
PHOTOLUMINESCENCE
GENERATION
NANOWIRES
Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui)
;
Xu Q (Xu Qiang)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Wang JW (Wang Jian-Wei)
收藏
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浏览/下载:68/3
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提交时间:2010/05/07
ALLOYS
GE
Electronic structure and exciton states in the freestanding ZnO nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094327
Xiong W
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM WIRES
Symmetry and optical transition rule for low-dimensional semiconductor system with spin-orbit interaction and magnetic field
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 627-636
Zhu ZY (Zhu, Zheng-Yong)
;
Li SS (Li, Shu-Shen)
收藏
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浏览/下载:112/31
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提交时间:2010/03/08
Spin-orbit interaction
Linear Rashba Model of a Hydrogenic Donor Impurity in GaAs/GaAlAs Quantum Wells
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 178-180
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:213/37
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提交时间:2010/03/08
ENERGY-SPECTRA
STATES
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