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半导体研究所 [27]
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半导体物理 [27]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
Spin-flip relaxation in a two-electron quantum dot with spin-phonon coupling
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 22, 页码: 1667-1671
Wang, ZW
;
Li, SS
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
Nanostructures
Electron-phonon interactions
Spin dynamics
ELECTRON-SPIN
SEMICONDUCTORS
Rashba electron's ballistic transport in two-dimensional quantum waveguide
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 5, 页码: art. no. 053717
Liu DY (Liu Duan-Yang)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/02
SPIN PRECESSION
STUB TUNERS
CONDUCTANCE
Interference in transport through double barriers in interacting quantum wires
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 5, 页码: art. no. 155438
Wang SQ (Wang Shaoqin)
;
Zhou LL (Zhou Liling)
;
Zeng ZY (Zeng Zhao Yang)
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浏览/下载:34/1
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提交时间:2010/05/24
CONDUCTANCE
MODEL
BEHAVIOR
FLUIDS
GAS
Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 41, 页码: art. no. 415203
作者:
Wu ZH
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浏览/下载:55/2
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提交时间:2010/03/08
CONDUCTANCE
VOLTAGE
RIBBONS
Crystallographic plane tuning of charge and spin transport in semiconductor quantum wires
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 36, 页码: art. no. 365202
Wang M
;
Chang K
;
Wang LG
;
Dai N
;
Peeters FM
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浏览/下载:78/3
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提交时间:2010/03/08
CONDUCTANCE
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Temperature-dependent transport and spin accumulation in a quantum wire with Rashba spin-orbit interaction
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 65, 期号: 1, 页码: 85-90
Liu, GH
;
Zhou, GH
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
CONDUCTANCE
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
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