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半导体研究所 [41]
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期刊论文 [37]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2009 [4]
2008 [2]
2007 [2]
2006 [3]
2004 [2]
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学科主题
半导体物理 [41]
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共41条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR
期刊论文
modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887
Zhang B
;
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Luo JX
;
Wang X
;
Zhang MA
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/03/08
GaN
epitaxial lateral overgrowth
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:130/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102
Zhou ZW
;
Li C
;
Chen SY
;
Lai HK
;
Yu JZ
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/08
THERMAL-EXPANSION
Investigation of GaSb epilayer grown on vicinal GaAs(001) substrate by high resolution x-ray diffraction
期刊论文
physica scripta, 2007, 卷号: t129, 页码: 27-30
Qiu, YX
;
Li, MC
;
Wang, YT
;
Zhang, BS
;
Wang, Y
;
Liu, GJ
;
Zhao, LC
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/08
FILMS
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
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