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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY   Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：105/1  |  提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN NANOWIRES  NATIVE DEFECTS  COMPLEXES  EPITAXY  GROWTH  ARRAYS   Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR   Void-like defects in annealed Czochralski silicon 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 16, 页码: 2311-2312 Gao M; Duan XF; Peng LM; Li J 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 CRYSTAL-ORIGINATED PARTICLES  WAFERS  SIO2