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科研机构
半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2002 [3]
2001 [3]
2000 [1]
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学科主题
半导体物理 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Influence of magnetocrystalline anisotropy on magneto-optics in GaMnAs/InGaAs epilayer
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2011, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhu H
;
Gan HD
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浏览/下载:66/5
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提交时间:2011/07/05
(Ga, Mn)As
magneto-optical effect
oscillation
magnetic anisotropic
(GA,MN)AS FILMS
SEMICONDUCTORS
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Polarity determination for GaN thin films by electron energy-loss spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 11, 页码: 1990-1992
Kong X
;
Hu GQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
DELOCALIZATION CORRECTIONS
ENHANCED MICROANALYSIS
SINGLE-CRYSTALS
DIFFRACTION
Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026
Sun ZZ
;
Yoon SF
;
Wu J
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:81/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MORPHOLOGY
MODULATIONS
SURFACES
INP(001)
GROWTH
ALLOY
INP
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/08/12
INP(001)
EPITAXY
GAAS
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
crystal morphology
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium arsenide
semiconducting indium gallium arsenide
1.35 MU-M
GAAS-SURFACES
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:98/6
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提交时间:2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328
Liao MY
;
Qin FG
;
Chai CL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Yao ZY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:127/13
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous carbon
surface morphology
mass-selected low energy ion beam deposition
TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
ATOMIC-FORCE MICROSCOPY
DIAMOND-LIKE CARBON
SILICON
GROWTH
MODEL
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
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