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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anisotropic Spin Splitting in Step Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: art. no. 037103 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：89/31  |  提交时间：2010/03/08 RELAXATION ANISOTROPY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  LAYERS   Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures 期刊论文 journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 Kong LM (Kong Lingmin); Cai JF (Cai Jiafa); Wu ZY (Wu Zhengyun); Gong Z (Gong Zheng); Fang ZD (Fang Zhidan); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 InGaAs layer  InAs quantum dots  time-resolved PL spectra  1.3 MU-M  CARRIER DYNAMICS  LASERS  GROWTH  WAVELENGTH  EMISSION  ISLANDS  LAYERS  SIZE   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：98/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115317 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：105/2  |  提交时间：2010/08/12 GIANT OPTICAL ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  COMMON-ATOM  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES   Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS ISLANDS  INP(001)  GROWTH  GAAS  SEMICONDUCTORS  THICKNESS  LASERS  INGAAS  SIZE   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP