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半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
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半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/03/09
EMISSION
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
  |  
浏览/下载:223/60
  |  
提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:16/1
  |  
提交时间:2010/10/29
GaNAs
SiO2 encapsulation
rapid-thermal-annealing
nitrogen reorganization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
MU-M
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:16/2
  |  
提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
photoluminescence
band offset
band bowing coefficient
localized exciton
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
TEMPERATURE
GAASN
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