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半导体研究所 [9]

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半导体材料 [9]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏 \| 浏览/下载：52/10 \| 提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE SELF-DIFFUSION NATIVE DEFECTS N-TYPE CRYSTALS CATHODOLUMINESCENCE PHOTOLUMINESCENCE SEMICONDUCTORS SPECTROSCOPY LUMINESCENCE
	Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏 \| 浏览/下载：51/3 \| 提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE EPITAXIAL GAN BAND-GAP
	Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2010/04/11 flow recirculation numerical modeling reactor transport process MOCVD thin film growth CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PHASE EPITAXY MOVPE REACTOR GROWTH DESIGN GAN
	Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 diffusion interfaces substrates molecular beam epitaxy phosphides semiconducting indium phosphide UNDOPED SEMIINSULATING INP CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PHOSPHIDE VAPOR FE INTERFACE PHOTOLUMINESCENCE WAFER UNIFORMITY DIFFUSION PRESSURE
	Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots ELECTRONIC-STRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE INTERDIFFUSION TRANSITIONS SPECTRA
	Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/11/15 GaNAs DC active N-2 plasma molecular beam epitaxy nitrogen content Fourier transform infrared spectroscopy of intensity BAND-GAP ENERGY GAAS1-XNX NITROGEN
	Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaNAs DC active N-2 plasma molecular beam epitaxy nitrogen content Fourier transform infrared spectroscopy of intensity BAND-GAP ENERGY GAAS1-XNX NITROGEN
	The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaN 2DEG MD heterostructure MBE photoluminescence GAN LUMINESCENCE PLASMA GALLIUM NITRIDE
	The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Liu XL; Lu DC; Wang LS; Wang XH; Wang D; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOVPE GaN buffer layer growth rate growth parameters TRIMETHYLGALLIUM MECHANISMS QUALITY AMMONIA DIODES MOCVD GAAS THERMAL-DECOMPOSITION

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