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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
2004 [3]
2003 [1]
2001 [1]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Bioactivity of Mg-ion-implanted zirconia and titanium
期刊论文
applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 6, 页码: 3326-3333
Liang H
;
Wan YZ
;
He F
;
Huang Y
;
Xu JD
;
Li JM
;
Wang YL
;
Zhao ZG
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/29
bioactivity
Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Yin ZG
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  |  
浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/17
auger electron spectroscopy
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
Song SL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
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浏览/下载:356/46
  |  
提交时间:2010/03/09
auger electron spectroscopy
Investigation of Mn-implanted n-type Ge
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 466-470
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:104/34
  |  
提交时间:2010/03/09
Auger electron spectroscopy
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:70/28
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提交时间:2010/03/09
X-ray diffraction
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:83/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514
Fan TW
;
Zou LF
;
Wang ZG
;
Hemment PLF
;
Greaves SJ
;
Watts JF
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/17
ELECTRICAL-PROPERTIES
SI0.5GE0.5 ALLOY
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
SB
SUPERLATTICES
DIFFUSION
REGROWTH
SILICON
SI
Diamond growth by carbon ion implantation of diamond
期刊论文
diamond and related materials, 1995, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 1353-1359
Lee ST
;
Lau WM
;
Huang LJ
;
Ren Z
;
Qin F
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
diamond subsurface growth
carbon implantation
diamond defect structure
diamond characterization
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