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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708 Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/03/29 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM