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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of Hydrogen Plasma Treatment on the Electrical and Optical Properties of ZnO Films: Identification of Hydrogen Donors in ZnO 期刊论文 acs applied materials & interfaces, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 1780-1784 Dong JJ (Dong J. J.); Zhang XW (Zhang X. W.); You JB (You J. B.); Cai PF (Cai P. F.); Yin ZG (Yin Z. G.); An Q (An Q.); Ma XB (Ma X. B.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：151/22  |  提交时间：2010/07/05 hydrogen plasma treatment  zinc oxide  Raman spectroscopy  photoluminescence  RAMAN-SCATTERING  IMPLANTED ZNO  THIN-FILMS  DENSITY   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE   Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE